Nuevo avance en memorias, esta vez nos llega de la mano de Texas Instruments.
El nuevo tipo se llama FRAM (Ferro-electric Random Access Memory), y a pesar de lo que su nombre pueda indicar, no contiene componentes ferreos en su chip, evitando asi verse afectada por los posibles campos electromagnéticos existentes. Debido a sus componentes, es la única memoria que puede presumir de tener un tiempo de escritura igual a los tiempos de lectura, a diferencia del resto de componentes de función similar.
¿Un avance respecto a quien? Respecto a las memorias de tipo EEPROM, las más parecidas en cuanto a prestaciones pero que se acaban de quedar atrás.
¿Por que? Pues por el hecho de que la FRAM es unas 1000 veces superior en velocidad de escritura, porque en vez de hacerlo en dos pasos como la EEPROM (comando de escritura y comando de verificación), la FRAM realiza la escritura en un sólo paso, haciendo que el tiempo de transición de escritura existente en las EEPROM desaparezca.
¿Que tensiones utiliza? Debido al hecho de que es mucho más rápida para escribir, se necesita mucho menor voltaje que en otras memorias, que necesitan una cantidad de tensión considerable para mantener los estados; esto es, utiliza 1,5v, en comparación con los 10-14v de las EEPROM.
¿Al ser una RAM, pierde los datos cuando se le quita la tensión? No. FRAM es una memoria no volatil la cual, al igual que pasa en las DRAM, despues de un proceso de escritura requiere un refresco de la memoria, por lo que los bytes son re-escritos y perdurados hasta que se sobreescriban con otros datos.
De momento Texas Instruments está implementando estas memorias en dispositivos orientados a los campos de domótica y automoción.
Sin duda, y a titulo personal, creo que es un gran gran avance tener una memoria que tiene el mismo tiempo de escritura que de lectura.
El nuevo tipo se llama FRAM (Ferro-electric Random Access Memory), y a pesar de lo que su nombre pueda indicar, no contiene componentes ferreos en su chip, evitando asi verse afectada por los posibles campos electromagnéticos existentes. Debido a sus componentes, es la única memoria que puede presumir de tener un tiempo de escritura igual a los tiempos de lectura, a diferencia del resto de componentes de función similar.
¿Un avance respecto a quien? Respecto a las memorias de tipo EEPROM, las más parecidas en cuanto a prestaciones pero que se acaban de quedar atrás.
¿Por que? Pues por el hecho de que la FRAM es unas 1000 veces superior en velocidad de escritura, porque en vez de hacerlo en dos pasos como la EEPROM (comando de escritura y comando de verificación), la FRAM realiza la escritura en un sólo paso, haciendo que el tiempo de transición de escritura existente en las EEPROM desaparezca.
¿Que tensiones utiliza? Debido al hecho de que es mucho más rápida para escribir, se necesita mucho menor voltaje que en otras memorias, que necesitan una cantidad de tensión considerable para mantener los estados; esto es, utiliza 1,5v, en comparación con los 10-14v de las EEPROM.
¿Al ser una RAM, pierde los datos cuando se le quita la tensión? No. FRAM es una memoria no volatil la cual, al igual que pasa en las DRAM, despues de un proceso de escritura requiere un refresco de la memoria, por lo que los bytes son re-escritos y perdurados hasta que se sobreescriban con otros datos.
De momento Texas Instruments está implementando estas memorias en dispositivos orientados a los campos de domótica y automoción.
Sin duda, y a titulo personal, creo que es un gran gran avance tener una memoria que tiene el mismo tiempo de escritura que de lectura.
Muisheto Feroz
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